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苏州弗为科技有限公司

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    导体失效分析过程中等离子开封的应用

    2026-05-05
    在半导体失效分析FA过程中的等离子开封的应用是一种先进的干法去封装技术,已成为处理复杂先进封装(如含Cu/Ag线键合、高Tg模塑料、3D/SiP堆叠等)的首选或关键补充方案。1. 半导体开封在失效分析中的作用半导体器件通常采用环氧模塑料(EMC)封装以提供机械保护、防潮和电气绝缘。在失效分析流程中,开封(Decapsulation)是破坏性分析的第一步,目的是暴露芯片(Die)、键合线(Bo...

    SOFC燃料电池金属支持板的新思路

    2026-05-05
    固体氧化物燃料电池(SOFC)作为高效、燃料灵活的清洁能源转换装置,在分布式发电、热电联产和移动电源等领域备受关注。传统SOFC多采用陶瓷(如电解质或阳极)作为支撑体,但存在机械强度低、抗热冲击差、启动慢和成本较高的问题。金属支撑型SOFC(Metal-Supported SOFC,简称MS-SOFC)以多孔金属板(或金属泡沫)作为主要支撑结构,成为新一代技术路线的重要方向。它能显著提升机械...

    SOFC金属支撑体中的梯度多孔结构与激光工艺

    2026-04-25
    在金属支撑固体氧化物燃料电池(MS-SOFC)制备中,梯度多孔结构和激光工艺是两种实现多孔金属支撑体的主流或新兴技术路径。它们均旨在解决气体扩散瓶颈,同时兼顾机械强度、薄型化和成本控制。1. 梯度多孔结构回顾(相转化/带铸法为主)传统梯度多孔结构主要通过双层带铸 + 相转化工艺实现:从靠近功能层(阳极/电解质侧)到外侧,孔径和孔隙率形成“细→粗”梯度。皮肤层(小孔)提供平整表面,便于沉积致密...

    固体氧化物燃料电池SOFC材料创新挑战与未来展望

    2026-04-25
    固体氧化物燃料电池(SOFC)的性能、成本和耐久性高度依赖材料体系。传统高温SOFC(800–1000°C)以钇稳定氧化锆(YSZ)为电解质,但高工作温度导致材料退化、热应力和启动时间长等问题。中低温化(400–700°C)已成为主流方向,核心在于电解质、阴极、阳极、互连体以及金属支持体的创新。2025–2026年,钙钛矿基材料、质子导电电解质、异质结构、纳米工程以及金属支撑架构取得显著突破...

    固体氧化物燃料电池(SOFC)的现状和未来展望

    2026-04-25
    固体氧化物燃料电池(SOFC)的现状和未来展望固体氧化物燃料电池(SOFC)是一种高效、清洁的能源转换装置,通过电化学反应将燃料(如天然气、氢气、生物气或氨)中的化学能直接转化为电能和热能。其工作温度通常在600–1000°C,利用固体氧化物电解质(如掺杂的氧化锆)传导氧离子,无需燃烧过程,因此效率高、污染物排放低,尤其适合分布式发电和热电联产(CHP)应用。SOFC的基本工作原理SOFC由...

    中国汽车集体掉进【快消陷阱】

    2026-04-22
    中国汽车集体掉进【快消陷阱】发布时间:2026年4月22日 | 行业观察▲ 中国新能源汽车市场正经历前所未有的快节奏迭代,但"快"是否等同于"好"?当一款新车的平均生命周期从过去的5-7年缩短至18个月,当"年度改款"变成"季度升级",当发布会频率追上手机新品节奏——中国汽车产业正在经历一场危险的"快消化"转型。这不是进化,而是一场集体迷失。一、什么是"快消陷阱"快消品(Fast-Movin...

    固体氧化物燃料电池(SOFC)的技术路线之争

    2026-04-17
    固体氧化物燃料电池(SOFC)的技术路线之争主要集中在温度区间、支撑结构、电解质材料三大维度,不同路径的选择直接影响商业化成本、应用场景和产业化进度。一、温度路线之争:高温坚守派 vs 中低温降本派这是SOFC最核心的分歧点,形成了三条鲜明阵营:温度路线工作温度核心优势主要瓶颈代表厂商/机构高温路线800-1000°CYSZ电解质技术成熟、电导率高、可直接热电联供材料热应力大、密封困难、启动...

    前沿技术论坛报告剧透!全面了解SOC核心部材、电堆及系统最新科研进展

    2026-04-17
    20+前沿技术论坛报告剧透!全面了解SOC核心部材、电堆及系统最新科研进展在小说阅读器读本章去阅读在小说阅读器中沉浸阅读‍‍2026年4月15日-17日,由DT新能源主办,天府永兴实验室联合主办,西南石油大学、全省先进燃料电池与电解池技术重点实验室、江苏省可再生能源学会燃料电池专委会、雅安雅瓷氢化新能源科技发展有限公司协办的2026(第六届)固体氧化物电池技术发展与产业论坛将于四川 · 成都...

    2026(第六届)固体氧化物电池技术发展与产业论坛

    2026-04-17
    2026(第六届)固体氧化物电池技术发展与产业论坛在小说阅读器读本章去阅读在小说阅读器中沉浸阅读 2026年4月15日-17日,由DT新能源主办,天府永兴实验室联合主办,西南石油大学、全省先进燃料电池与电解池技术重点实验室、江苏省可再生能源学会燃料电池专委会、雅安雅瓷氢化新能源科技发展有限公司协办的“2026(第六届)固体氧化物电池技术发展与产业论坛”将于四川成都举办。本届论坛以“迈向SOC...

    微波等离子在Die Bond 和 Wire Bond 的作用

    2026-04-12
    微波等离子在Die Bond 和 Wire Bond 的过程中的作用什么是半导体芯片封装?半导体芯片封装,是指将半导体芯片装配到封装基板上,再用封装外壳将芯片封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM),实现芯片与外部电路的通信。在封装中,常见的电学互联方式有引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(Flip Chip),封装材料有金属、陶瓷、塑料(聚合物)等。半导体芯片封装工艺流...

    先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 33 半导体封装中的翘曲管理与有限元分析

    2026-04-12
    先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 33 半导体封装中的翘曲管理与有限元分析一、翘曲的根本原因在半导体封装中,翘曲是指诸如半导体晶圆、印刷电路板(PCB)、基板、半导体封装或面板等部件的变形或弯曲,如下图所示。翘曲特指面外变形。随着行业对更薄、更密集、更高集成度设备的需求增长,以及3D堆叠、层叠封装(PoP)、扇出型封装和系统级封装(SiP)...

    翘曲测试设备 TDM-Compact 3

    2026-04-12
    翘曲测试设备 TDM-Compact 3介绍在影像工程学的测量,检测,测试和特征描述上有很强的专业能力。经验积累: 21 年TDM一系列翘曲测量仪器Insidix Insidix 提供 4 种翘曲系统设备。选择取决于样品的尺寸、多功能性、模块化或根据预算选择配置。设备性能· 微米级的分辨率;· 高均匀性使用红外上下加热模式温度区间-60℃— 400℃;· 快速的升降温速率;· 被测产品尺寸从...

    失效分析工程师是做什么的?

    2026-04-12
    失效分析工程师的主要职责是通过系统分析,确定产品或材料失效的原因,并提出改进措施,以提升产品质量和可靠性。具体工作内容包括:    1.失效信息收集与初步分析收集失效产品的背景信息,如使用环境、操作条件、历史记录等,通过目视检查、功能测试等手段初步判断失效模式(如电气故障、机械断裂、腐蚀等)。2.实验与检测物理分析:使用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等观察微观结...

    半导体相关行业术语

    2026-04-12

    进口平替国产精密制样新标杆|SMC2000 芯片裂片仪 全面对标 SELA MC10

    2026-04-03
    国产精密制样新标杆|SMC2000 芯片裂片仪对标 SELA MC10,性能优越、成本更优。在半导体先进工艺研发、芯片失效分析、可靠性测试及电镜(SEM/TEM)样品制备场景中,高质量、无损伤、高一致性的芯片裂片,是决定微观观测精度、缺陷定位效率与实验数据可靠性的关键前提。长期以来,以色列 SELA MC10 凭借稳定可靠的精密断裂技术,成为行业公认的标准设备。但其高昂采购成本、漫长交期与海...

    封装大战核心!台积电 System Scaling:CoWoS、Chiplet、3D 封装全梳理

    2026-04-03
    摩尔定律放缓,性能增长从晶体管缩放转向系统级集成HBM、Chiplet与3D封装协同演进,重构算力底层架构 最近在看台积电 这份 关于System Scaling 的技术分享时,我有一个越来越强烈的感受——半导体行业,正在经历一次“从晶体管到系统”的范式切换。 过去几十年,我们习惯了一条几乎不用怀疑的路径:只要制程节点持续演进,晶体管越做越小,性能自然提升、成本逐步下降。但当我把3nm之后...

    海思FA分析结果报告输出基本要求

    2025-12-08
    海思,作为华为旗下的半导体公司,其在芯片研发等众多领域展现出了无与伦比的创新能力和技术深度。海思FA分析结果报告从内容的要求来看,非常细致。    海思FA分析结果报告输出基本要求,不仅仅是一份报告的规范,更是海思对自身高标准、严要求的体现,是海思在科技浪潮中不断前行、引领行业发展的重要保障。来源:材料与可靠性-嘉峪检测网

    半导体常用英文术语大全

    2025-12-08
    一、前道制造(Front-End: FEOL + BEOL)英文术语超完整版表 1:FEOL(Front-End-Of-Line)晶体管/器件层工艺英文术语中文解释FEOL – Front-End-Of-Line前段(器件层)Active Area有源区Isolation隔离区STI – Shallow Trench Isolation浅沟槽隔离LOCOS – Local Oxidation...

    SiC MOSFET碳化硅芯片的设计简介

    2025-09-09
    Die Layout首先,下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。图一.制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆芯片表面一般是如图二所示,由源极焊盘(Source pad),栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。有一些只有Gate pad,如上图的芯片就没有Kelvin source pad。图二.芯片表面在这里...

    SiP与先进封装的异同点

    2022-07-21
    SiP与先进封装的异同点来源:半导体行业观察  SiP系统级封装(System in Package),先进封装HDAP(High Density Advanced Package),两者都是当今芯片封装技术的热点,受到整个半导体产业链的高度关注。那么,二者有什么异同点呢?  有人说SiP包含先进封装,也有人说先进封装包含SiP,甚至有人说SiP和先进封装意思等同。  这里,我们首先明确Si...

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